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技術發展

微波通訊先進技術

穩懋之製程技術包含HBT和HEMT兩大類。已有超過20種以上之製程技術進入量產，穩懋仍將持續推出多樣化的新技術來服務客戶。

針對技術廣度而言，主要化合物半導體材料的使用，從砷化鎵擴展至氮化鎵，符合多樣性的無線通訊需求。在市場應用方面，也從手持式無線通訊，積極佈局物聯網大趨勢下的5G基礎建設和光通訊的技術開發，以取得未來市場先機。

HBT

H02U-C4/D4/E4/F4

4th Generation HBT for GSM/3G/4G/Wi-Fi

H02U-C5/D5/F5/H5

5th Generation HBT for GSM/3G/4G/5G/Sub-6GHz/Wi-Fi/HPUE

H01U-H7/R7

7th Generation HBT for GSM/3G/4G/5G/Sub-7GHz/Wi-Fi/HPUE

pHEMT

PD50-1x/32/42

0.5μm E/D pHEMT

PD50-30

0.5μm pHEMT

PD25

0.25/0.5μm E/D pHEMT

PP50-12

0.5 μm 8V Operation pHEMT

PP25-1x

0.25μm 6V Operation pHEMT

PP15-5x/6x

0.15μm 6V Operation pHEMT

PP10-1x/2x

0.1μm 4V Operation pHEMT

PE15-0P

0.15μm E-mode 4V Operation pHEMT

PL15-1x

0.15μm 4V Operation pHEMT

PQH1-12

0.18μm 8V Operation pHEMT

PQH1-0P

0.18μm 4V Operation pHEMT

PQG3-0C

0.15μm E/D mode 4V Operation pHEMT

PINHEMT

PIH0-03

0.1μm 4V Power GaAs pHEMT with Integrated Vertical PIN and Schottky Barrier Diodes MMIC Technology

PIH1-10

Optical gate, 4V Power GaAs pHEMT with Integrated Vertical PIN and Schottky Barrier Diodes MMIC Technology

BiHEMT

PH50-C4

High efficiency HBT4 + Lower Ron pHEMT

PH50-D4

High Linearity HBT4 + Lower Ron pHEMT

GaN

NP12-01

0.12μm 28V Operation GaN HEMT

NP15-00

0.15μm 28V Operation GaN HEMT

NP25-0x/11

0.25μm 28V Operation GaN HEMT

NP25-20

0.25μm 40V Operation GaN HEMT

NP45-11

0.45μm 50V Operation GaN HEMT

IPD/DIODE

IP2M-10

8V Operation IPD

IP3M-00

28V Operation IPD

IP3M-01

50V Operation IPD

PIN3-00

3μm i-layer Diode

HVD1-00

Varactor Diode

穩懋半導體另外提供附加製程技術來加強產品功能與支援後段封裝技術，以增加客戶產品優勢與市場競爭力。

pHEMT
HBT
BiHEMT

Bump

此凸塊互連結構可將砷化鎵晶粒覆晶接合至不同種基板材料

註：pHEMT需包含EMR(Enhanced moisture ruggedness)製程

MET3

第三金屬層可提供高密度金屬互連設計與高Q值電感

ESD Diode

PN二極體可作為靜電放電防護電路設計元件

0.5umE/D pHEMT devices

0.5um 增強型/空乏型pHEMT專為邏輯電路元件設計

Hotvia

1. 晶背金屬可被設計當作電位接地以及傳輸射頻訊號

2. 晶背金屬窗型對於晶粒貼合製程安裝容易

3. 消除打線接合得到絕佳射頻訊號品質

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