啟動5G聯結
5G行動裝置與基礎設施所需之砷化鎵與氮化鎵技術
隨著5G無線通訊元件與基礎設施之發展，砷化鎵之HBT，pHEMT與GaN技術將扮演關鍵性的角色以滿足新無線網路的多種特性需求。為支援5G的關鍵零組件發展，穩懋持續提供全系列高整合度之化合物半導體技術涵括:
- 6GHz以下廣域網路覆蓋所需之頻段
- 毫米波(~30GHz)固定網路存取技術與行動裝置所應用之頻段
穩懋的技術範疇涵括HBT、GaN HEMT、pHEMT及高整合平台讓客戶在競爭中持續領先。我們的先進製程所展現的高整合、高效率特性，滿足下一代5G前端，低延遲聯結與巨量天線所需之技術。穩懋半導體技術為下列相關應用開發與實踐的基石:
- 5G毫米波之空載傳輸技術
- 5G毫米波主動天線陣列與用戶端設備的前端模組
- 5G宏蜂窩與多輸入輸出之基地台
WIN mmWave Front-End Solutions
Advanced GaAs Integration for Single Chip mmWave Front-Ends
0.45µm GaN Power Process for 5G Applications
WIN Semiconductors Enables Single Chip GaAs Solutions For 5G RF Front End Modules