關於穩懋

公司簡介

穩懋半導體成立於1999年,位於林口華亞科技園區,是全球首座以六英吋晶圓生產砷化鎵微波積體電路(GaAs MMIC)的專業晶圓代工服務公司。穩懋擁有完整的技術團隊及最先進的砷化鎵微波電晶體及積體電路製造技術及生產設備,客戶群除了全球射頻積體電路設計公司(RFIC Design Houses)外,並致力吸引與全球整合元件製造(IDM)大廠合作。在製程技術發展方面,穩懋以多元化及領先為原則,期能提供客戶最完整的服務。在無線寬頻通訊的微波高科技領域中,穩懋目前提供兩大類砷化鎵電晶體製程技術:異質接面雙極性電晶體(HBT)和應變式異質接面高遷移率電晶體(pHEMT),二者均為最尖端的製程技術。在光通訊及3D感測領域中,穩懋更以MMIC生產技術為基礎,提供光電產品的開發與生產製造。

本公司的產品線可滿足直流至150GHz內各種不同頻帶無線傳輸系統的應用,
加上六英吋製程產能與價格上的優勢,穩懋將持續地強化製造服務,以滿足廣大客戶的需求

穩懋目前已進入量產之產品,包含1微米 HBT 、2微米 HBT、0.5微米 pHEMT Switch、0.5微米 power pHEMT和先進的高頻0.15微米、0.1微米 pHEMT。其中1微米 HBT可應用於OC-768, OC-192光纖通訊/光纖網路元件中的發射器和接收器等主動元件。2微米 HBT與0.5微米 pHEMT Switch主要應用於手持行動通訊裝置(Handsets)和無線區域網路(WLAN)。0.15微米、0.1微米 pHEMT MMICs可應用於衛星通訊(SATCOM and VSAT)、汽車業的自動巡航和點對點基地台的連繫。0.5微米 pHEMT可應用於衛星通訊、全球定位系統(GPS) 、有線電視調頻器(Cable TV tuner) 、交通電子收費裝置(Electronic toll collection)、無線區域性網路等。

HBT

pHEMT

BiHEMT

GaN

穩懋亦持續開發光電元件技術於車用、資料中心及光纖到府相關應用。除了現有完整的砷化鎵和氮化鎵技術領域外,同時建立了光電半導體元件的製造能力,為雷射二極體(LD)及檢光二極體(PD)設計公司提供具彈性且大規模的產品製造服務,可提供合作夥伴客製化的磊晶/二次磊晶、光電元件製造、材料及元件特性分析及測試服務等。

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