關於穩懋
年度紀事
穩懋半導體位於林口華亞科技園區，是全球首座以六英吋晶圓生產砷化鎵微波積體電路（GaAs MMIC）的專業晶圓代工服務公司。穩懋擁有完整的技術團隊及最先進的砷化鎵微波電晶體及積體電路製造技術。
2021
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11月
再度獲選道瓊永續世界指數(DJSI World Index)
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11月
榮獲2021 第十四屆 TCSA「永續報告-白金獎」
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05月
通過ISO/IEC 27001:2013 資訊安全管理系統認證
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04月
再獲第七屆公司治理評鑑上市櫃公司市值新台幣100億元以上電子業前10%之標竿企業
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04月
蟬聯第七屆公司治理評鑑上櫃組前5%公司
2020
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11月
入選道瓊永續世界指數(DJSI World Index)
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11月
榮獲2020 TCSA「台灣企業永續獎」及SGS「2020 CSR Awards」
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04月
榮獲第六屆公司治理評鑑上市櫃公司市值新台幣100億元以上電子業前10%之標竿企業
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04月
連六屆榮獲上櫃組公司治理評鑑前5%公司
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02月
穩懋在S&P Global與RobecoSAM出版的2020年永續年鑑中，獲選為Industry Mover
2019
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04月
連五屆榮獲上櫃組公司治理評鑑前5%公司
2018
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04月
榮獲第4屆公司治理評鑑上櫃組排名前5%公司
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02月
穩懋B廠通過SONY Green Partner認證
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01月
通過AS9100航太工業品質管理系統認證
2017
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11月
MSCI將穩懋納入全球標準型指數成分股
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10月
穩懋公司市價突破仟億元(台幣)
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07月
穩懋量產六吋VCSEL晶圓 (for Face ID)
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04月
榮獲第3屆公司治理評鑑上櫃組排名前5%公司
2016
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09月
穩懋半導體「新世代通訊用之半絕緣碳化矽 (S.I.-SiC) 晶圓及氮化鎵 (GaN)元件技術開發」通過經濟部技術處A+企業創新研發淬鍊計畫
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08月
辦理現金減資30%，調整資本結構及提升股東權益報酬率
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04月
榮獲第2屆公司治理評鑑上櫃組排名前5%公司
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04月
晶圓C廠正式量產啟用
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03月
參加2016年光纖大會(Optical Fiber Conference)，並宣布切入光電元件製造服務
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01月
晶圓C廠建廠完成
2015
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12月
公司累計晶圓出貨量突破100萬片
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07月
辦理現金減資20%，調整資本結構及提升股東權益報酬率
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04月
榮獲第1屆公司治理評鑑上櫃組排名前5%公司
2014
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02月
榮獲第二屆卓越中堅企業獎
2013
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12月
榮獲第三屆國家產業創新獎-績優企業創新獎
2012
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12月
全年度於全球砷化鎵晶圓代工市佔率高達62.4%，並躍居全球前12大晶圓廠，亦是其中唯一的砷化鎵晶圓代工廠
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12月
榮獲美國上市公司Inphi 2012頒發最佳技術夥伴獎
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12月
榮獲日本上市公司muRata 2012頒發最佳供應商獎
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10月
辦理現金增資參與發行海外存託憑證
2011
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12月
年度營業額突破佰億元(台幣)
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12月
上櫃掛牌
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11月
榮獲M/A-COM Technology Solutions頒發年度最佳代工供應商獎
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10月
榮獲財團法人中華民國證券櫃檯買賣中心頒發之興櫃公司-卓越興櫃市場貢獻金桂獎
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05月
摩根士丹利資本國際(MSCI)公布將穩懋列入全球小型指數名單
2010
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12月
成功產出全球第一片六吋之0.1微米pHEMT MMIC晶圓
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12月
開發出高性能應用於多工多模手機之射頻開關(RF Switch)之製程技術
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11月
通過ISO/TS 16949品質管理系統認證
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05月
晶圓B廠第二期擴建工程動工
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04月
購置晶圓B廠第二期擴建工程之土地及廠房
2009
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10月
與IDM廠美商ANADIGICS宣佈達成策略性代工合作關係
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10月
興櫃掛牌
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07月
成功發展出整合HBT與pHEMT於單一晶片之BiHEMT製程技術
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04月
晶圓B廠正式量產啟用
2008
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10月
晶圓B廠第一片HBT晶圓試產成功
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06月
通過IDM廠美商Skyworks Solution 認證正式成為代工夥伴
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05月
成功開發出0.25微米之pHEMT MMIC晶圓
2007
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12月
轉虧為盈，年度結算全年獲利每股盈餘0.79元
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04月
新成立微波通訊事業群及光電元件發展事業群，由王郁琦博士及張文銘博士分別擔綱各該事業群總經理
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04月
購置晶圓B廠土地及廠房
2005
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05月
成功開發出應用於2G/3G手機之高效能HBT製程技術
2004
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09月
0.5 μm 35V pHEMT for CATV 開始試產
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02月
2μm High Ruggedness HBT 完成基準認證
2003
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12月
WLAN功率放大器晶片單月交貨超過一百五十萬顆
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02月
第一片0.15微米 mHEMT晶圓向客戶交貨
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01月
開始為客戶代工生產3微米之HBT晶圓
2002
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11月
國內首座砷化鎵晶圓製造廠同時通過ISO14001及OHSAS18001環境及職業安全衛生管理系統驗證
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11月
六吋50微米厚之0.15微米功率pHEMT技術試產成功
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11月
1微米之HBT技術開始量產
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10月
開始為客戶代工生產0.5微米高功率pHEMT晶圓
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06月
第一片0.5微米switch pHEMT晶圓向客戶交貨
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06月
產出全球第一片六吋25微米之pHEMT晶圓
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06月
2微米之HBT技術開始量產
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05月
成功產出全球第一片六吋0.15微米mHEMT晶圓
2001
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11月
晶圓廠開始代工生產0.15微米pHEMT MMIC晶圓
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09月
通過QS-9000及ISO 9001品質系統認證,締造國內III/V族產業品質認證新紀錄
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06月
成功的產出六吋1微米HBT MMIC晶圓
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05月
穩懋獲經濟部業界科專計劃近新台幣4000萬
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05月
成功產出全球第一片六吋50微米厚之pHEMT晶圓
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04月
pHEMT產品設計工具模組完成
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03月
成功的產出全球第一片六吋之0.15微米pHEMT MMIC 晶圓
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01月
穩懋獲准成為公開發行公司
2000
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11月
成功試產出亞洲第一片六吋GaAs HBT MMIC晶圓
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09月
製程生產設備開始裝機，製程技術驗證開始，2微米HBT產品設計工具套件完成
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07月
晶圓A廠建廠工程完成
1999
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12月
晶圓A廠建廠開始
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10月
穩懋半導體股份有限公司正式成立
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