穩懋半導體於2020年11月6日受邀參與2020 TSIA IC設計研討會—用第三代半導體材料實現下世代通訊射頻元件之展望論壇，由穩懋半導體資深協理黃智文擔任主講人。演講內容從科技推動人類的生活改變出發，闡述半導體技術的演進與各世代材料之特性。演講中解釋不同世代半導體各有其特性優勢與市場應用，其關連密不可分且不存在互相取代的問題。

穩懋基於長期在無線通訊領域累積的深厚製造與研發能力，在第三代半導體專注於射頻(RF)相關應用的技術開發。目前，穩懋半導體已發表完整的第三代半導體氮化鎵於射頻應用解決方案，並依其應用頻段與功率提出對應的氮化鎵積體電路製造技術。 其中，NP45為基於0.45微米閘極之氮化鎵晶圓，其適用操作電壓為50V之高功率相關應用，如4G、5G通訊基礎設施與基地台等。此外，NP25為0.25微米閘極之氮化鎵晶圓，適用於操作電壓28V之10GHz雷達、衛星等相關應用。NP15則為基於0.15微米閘極之氮化鎵晶圓，此技術可應用於20V操作電壓之毫米波5G巨量天線基地台、衛星通訊與雷達相關應用。

穩懋半導體為全球少數能在提供第三代半導體生產所需之技術與量能的半導體晶圓製造服務公司。展望未來，穩懋將持續深耕化合物半導體，期許成為未來生活科技演變的推手之一。