整合式砷化鎵晶片技術為6GHz以下及毫米波段等5G應用提供最好的解決方案…

台灣．桃園–2018年9月25日: 穩懋半導體(台北上市櫃股票代碼:3105)，全球最大的砷化鎵晶圓代工廠，致力於推升6GHz以下以及毫米波段的5G用戶端設備、網路基礎建設開發。射頻前端模組半導體技術對行動裝置電池壽命、功率消耗及毫米波基地台使用的主動式天線陣列有顯著的影響，而砷化鎵材料正是當前LTE行動裝置射頻前端模組所採用的主要技術，能在最佳化電池壽命的情況下，提供良好的通訊品質且滿足嚴格的線性度及效能需求。未來的5G用戶端設備及MIMO無線存取裝置將採用比現行LTE更嚴苛的線性度與能耗規格，而穩懋所提供的眾多高性能砷化鎵技術，正符合這些新的需求，並為射頻前端模組提供最佳解決方案。

砷化鎵因著它材料本質上的優勢，而成為射頻前端模組的主流半導體技術，支持手機行動上網及Wi-Fi連網。在這些龐大且高度競爭的市場要求下，砷化鎵的技術和製造的水平已有顯著的進步，現在不僅可提供所有5G頻段最佳的射頻性能，並且也符合毫米波主動式天線系統的多功能整合需求。穩懋的先進砷化鎵製程平台，可實現5G 6GHz以下及毫米波段的手持裝置及MIMO無線存取裝置一個高集成、高性能的單晶片射頻前端模組，其包括一流性能的輸出及接收放大器，高性能開關元件、邏輯控制元件及靜電防護功能。

在穩懋半導體眾多的革新式砷化鎵技術中，以PIH0-10為例，已能為毫米波射頻前端模組做到單晶片整合之高效率功率放大器，超低雜訊的低雜訊放大器，以及低損耗的PIN二極體微波開關。此外，這個高度集成的砷化鎵技術還提供多個元件選項，包括可用於功率偵測器及混頻器的線性蕭特基二極體，可用於靜電防護的低容值PIN二極體，可用於邏輯控制的增強型/空乏型電晶體。這一系列的功能都實現於高抗濕氣製程模組，並可搭配銅質再分配層以及銅凸塊技術，進一步縮小晶片尺寸以及可適用於覆晶封裝製程，使砷化鎵射頻前端模組電路能滿足28及38GHz天線間距的要求。

穩懋半導體於2018歐洲微波通訊展會

穩懋半導體將於2018年9月23~28日西班牙馬德里，歐洲微波通訊展會編號137展區，展示5G 6GHz以下及毫米波段的解決方案。

更多資訊請參訪穩懋官網 www.winfoundry.com

關於穩懋半導體

穩懋半導體是引領全球的砷化鎵與氮化鎵純晶圓代工廠，提供服務的市場範疇包含無線傳輸、基礎建設及各式網際網路相關應用。穩懋以多樣化的異質接面雙極性電晶體、假晶式高電子遷移率電晶體、PIN二極體以及光器件等技術，協助相關合作夥伴，從50MHz到130GHz乃至光波段都能做出最佳的產品特性。穩懋半導體製程的產品已跨足廣泛的市場應用，包括智慧手機、手機基地台、光通訊、有線電視、航太應用、國防以及車用電子設備等。

自創立以來，穩懋一直秉持技術創新的精神，提供符合ISO9001/14001認證的6吋晶圓代工服務，總部設置於台灣桃園，擁有多座生產基地，超過2500名員工，不只為客戶帶來多樣化的元件技術，也包含及加值服務，如DC/RF產品測試、銅凸塊製程等，為了縮短客戶產品開發時程，也提供先進封裝技術解決方案。