2016/09/27

穩懋半導體「新世代通訊用之半絕緣碳化矽 (S.I.-SiC) 晶圓及氮化鎵 (GaN)元件技術開發」通過經濟部技術處A+企業創新研發淬鍊計畫

 

穩懋半導體「新世代通訊用之半絕緣碳化矽 (S.I.-SiC) 晶圓及氮化鎵 (GaN)元件技術開發」專案通過經濟部技術處A+企業創新研發淬鍊計畫—前瞻技術研發計畫審查,並於今(9月27)日簽約。

 

本計畫為期三年,藉由產、官、學、研的共同合作,進行半絕緣碳化矽及氮化鎵元件技術開發,穩懋負責研發0.45μm、0.25μm及0.15μm閘極長度之氮化鎵功率電晶體四吋晶圓,目標為建立氮化鎵結合半絕緣碳化矽的化合物半導體的自主技術,並擴展本公司產品應用於下一代4.5G/5G手機基地台、衛星通訊、物聯網、大數據及雲端等市場。本計畫將帶動相關產業及供應鏈的發展,使台灣高功率高電子遷移率氮化鎵元件技術在國際上佔有一席之地。