國內砷化鎵晶圓代工廠穩懋半導 體股份有限公司於今(23)日宣佈，該公司已通過日本某IDM大廠之GaAs HBT Power Amplifier（PA - 功率放大器）極嚴格的產品驗證，並將在今年內應用於該廠所推出之「藍芽」（bluetooth）系列產品。這是國內砷化鎵HBT產品以六吋晶圓製造技術首 次通過國際大廠之驗證，再度證實穩懋在砷化鎵製造技術領先地位。同時，穩懋在GaAs HBT產品技術開發方面亦有重大的發展與突破；並在六吋晶圓HBT及pHEMT製造能力與技術方面，吸引了國際間相關業者之注意，進而應邀於國際會議中發 表成果。

穩 懋是全球少數同時擁有六吋GaAs HBT及pHEMT晶片技術的晶圓製造廠商。其中2微米(um) InGaP HBT技術上的突出表現在1.9GHz操作頻率下可產出4W之輸出功率及75%之極高之功率效率，與一般業界之HBT相較高了約10%的效率，此結果也同 時經數家美國客戶測試後得到證實與肯定；此高效率之通訊晶片可大幅提高應用於手機電池之使用壽命。該技術已引起全球國際大廠及設計公司之興趣，目前已累計 四十餘家客戶紛紛下單給穩懋試產手機、WLAN（無線通訊網路）及「藍芽」應用之HBT功率放大器。除了技術門檻高以外，GaAs之認證時程較矽晶圓產品 長，由客戶設計、佈局到送製光罩（Design in - Tape out），接著由晶圓製造到可靠度測試完成，往往需要一年或一年半以上的時間，客戶方能下單量產。預計該產品對穩懋今年下半度之營收會有絕大之效益。

穩 懋總經理吳展興博士指出，公司成立的過去二年中，延攬了數十位在歐、美具有相當經驗與知名度之技術頂尖人士回台，共同為國內通訊產業的未來打拼，致力於六 吋砷化鎵之製造技術的開發。由於各方面的突出表現，穩懋已受邀於今年四月於美國聖地牙哥舉行之「國際砷化鎵生產技術會議」（GaAs ManTech）中發表三篇論文，與業者分享穩懋在HBT, pHEMT及六吋砷化鎵晶圓生產技術之突出表現及實質成果。在國內僅有穩懋受邀，且在國際間，單一公司能有機會發表二篇以上之論文已屬不易，穩懋受邀並可 同時發表三篇論文，除了在各方面備受肯定外，實屬難能可貴。

吳 總經理強調，六吋晶圓製造技術將是21世紀砷化鎵晶圓製造技術的主流，與四吋晶圓製造技術相較，六吋晶圓製造技術除具有成本優勢外，並且在良率、品質及產 量方面也較四吋晶圓製造技術優異。自投片生產以來，穩懋的六吋砷化鎵晶圓製造廠再再成功地締造業界歷史新紀錄，此次2umHBT晶片在技術上之重大突破已 吸引了美、日、韓、歐等國際大廠的興趣，於穩懋下單試產手機、WLAN及「藍芽」及光纖通訊所使用之功率放大器；再次確定穩懋在全球專業積體電路製造服務 業界的領導地位，更將進一步提昇客戶的未來競爭優勢。

穩 懋晶圓一廠位於林口華亞科技園區係全球首座以六吋晶圓生產砷化鎵（GaAs）微波通訊晶片的晶圓專業製造廠。該廠於89年年底（12月）動土，90年9月 開始進行裝機作業，11月即產出自行研發成功的2um HBT六吋晶圓，同年12月亦成功產出全球第一片六吋之0.15um pHEMT晶圓。此外更領先業界推出全球第一片六吋50um（2mil）厚之六吋砷化鎵（GaAs）晶圓，順利通過QS-9000及ISO 9001的品質系統認證，證明該廠晶圓製造技術能力與良率已較全球一般四吋與五吋砷化鎵（GaAs）晶圓廠為優。

穩 懋在此同時並已積極展開多項先進製程及產品技術的開發，除了用於光纖通訊的1um HBT外，另外0.15um低雜訊、0.15um高功率pHEMT及0.5um高功率pHEMT均已陸續完成客戶之產品驗證；另外pHEMT Switches、PIN Diode及先進的e-mode pHEMT、mHEMT也已在開發中，並受到許多客戶的大力支持。目前晶圓廠的規劃產能已達每月1,500片六吋晶圓，預定今年年底的裝機產能將可達到每 月4,500片。晶圓一廠滿載產能為每年十萬片六吋晶圓。