HBT(異質介面雙極性電晶體)技術，是生產現今當紅大哥大(行動電話)及個人通訊服務(PCS)的關鍵性元件技術。 HEMT(高電子遷移率電晶體)或pHEMT (砷化銦鎵應變式高電子遷移率電晶体)技術，將是下世紀無線通訊業的主流技術。在無線通訊產業中，砷化鎵積體電路所具有之高頻的特性及應用是目前一般矽鍺（SiGe）射頻積體電路所無法取代的。穩懋於月前（11月15日）試產成功的為2μm InGaP HBT，未來更將朝向1μm發展；HBT主要應用於高階個人通訊服務（PCS）/大哥大，亦廣泛應用於較低頻的無線產品，如雙向呼叫器、無線區域性網絡（WLAN），另外也包括光纖高速IC（OC192）的產品。

而未來所有寬頻及高效能的通訊元件都即將會以pHEMT 為主要元件裝置技術，從微波低頻1.8-2.0 GHz、2.1-2.2 GHz、2.5-5.8 GHz、中高頻28-31GHz及高頻76-77GHz都用得上。除了應用於PCS（個人手機）， 3G wireless(笫三代行動電話)更可應用於快速成長中的點對多點區域性分佈服務（MMDS，LMDS），衛星通訊（SATCOM and VSAT），汽車業的感應系統（防撞）和點對點基地台的聯繫，也可應用於光纖電子元件、固網通訊及特低干擾CATV調頻系統。穩懋已於今年11月24日試產成功亞洲第一片六吋0.5μm的pHEMT晶圓，預計在一個月內我們可試產出另一片0.35μm pHEMT MMIC製程技術的晶圓；另外預期在三個月內試產出0.15μm製程技術的pHEMT MMIC晶圓。我們擁有這些尖端科技技術團隊，這也是穩懋成功致勝的關鍵。