全球首座專業 生產六吋GaAs MMIC（砷化鎵微波晶片）晶圓的穩懋半導體於昨（15）日宣佈，歷經二個月的生產設備及製程測試後，已成功的產出該公司亦是全亞洲的第一片六吋2 (微米) InGaP HBT（磷化銦鎵異質介面雙極性電晶體）MMIC晶圓；此舉不僅驗證了該公司所發展的InGaP HBT製程技術，且充分顯示了穩懋當初在決定以生產六吋晶圓的策略到建廠規劃、設備投資、裝機及製程的開發、技術的引進，都已有了相當的信心及佈局；同時 也證明台灣在無線電通訊元件的製造技術已與許多世界級的大廠同步。此產品技術將可提供手機，個人通訊服務（PCS）及第三代無線通訊（3G Wireless）最先進及高效能的高功率放大器。

公 司成立一年，穩懋自去年十一月於林口華亞科技園區動土建廠至今完成投片試產的工作，不僅在業界樹立了多項的里程碑，其成果也受到矚目。穩懋半導體總經理吳 展興博士指出，自九月份開始投片試產，公司的動向便已受到全球許多通訊界IDM大廠及微波IC設計廠商的注意，且積極的安排業務的洽談與客戶的工程及品質 驗證。公司除了在HBT製程有了階段性的成果外，此外在pHEMT（砷化銦鎵應變式高電子遷移率電晶體）產品的製程技術也在試產階段，預計在月底前也會有 成績展現。預計明年第一季全面量產，在2002年前將可完成第一階段的年產能目標，達到三萬片六吋晶圓；待晶圓一廠全面量產後年產能即可擴增數倍高達十萬 片晶圓。

總 經理吳展興博士強調，在無線通訊產業中，砷化鎵積體電路所具有之高頻的特性及應用是目前一般矽鍺（SiGe）射頻積體電路所無法取代的。穩懋目前的核心技 術包括此次試產成功的2微米的 InGaP HBT及先進的0.15, 0.25 及0.35微米pHEMT和1微米HBT；其中HBT主要應用於高階個人通訊服務（PCS）/大哥大，亦廣範應用於低頻的無線產品，如雙向呼叫器、無線區 域性網絡（WLAN），另外也包括光纖高速IC的產品。而pHEMT可應用於快速成長中的點對多點區域性分佈服務（LMDS），衛星通訊（SATCOM and VSAT），汽車業的感應系統（防撞）和點對點基地台的聯繫，也可應用於光纖電子元件、固網通訊及特低干擾CATV調頻系統。穩懋以先進的技術建立六吋晶 圓代工服務的能力，將可達到降低成本、增加產能、縮短製造工時的目標，提昇產業在國際間之競爭力。

隨 著無線通訊網路的蓬勃發展，砷化鎵微波通訊HBT晶片已成為市場上炙手可熱的明星產品，但由於量產技術的門檻較高，且良率提昇不易，全球現有的六吋廠都處 於萌芽階段，僅有位於美國的Anadigics, Motorola, Lockheed- Martin Sanders以及歐洲的Infineon, Filtronic，但大都均在建廠裝機及試產階段，真正進入量產的廠商非常少，穩懋以極大的信心迎接挑戰。據市場報導，行動電話的確是現階段GaAs IC最大的成長動力，1999年的市場規模約為20億美元，其中約有60%左右的產值是應用在手機的射頻晶片上，而GaAs IC的產值在2001年～2003年將成長到30～40億美元左右，CAGR則高達34％。另外在汽車防撞雷達方面，其市場將由99年的2億美元成長至 2003年的50億美元，CAGR更高達79％左右。如再加上在高速光纖通訊及固網寬頻無線通訊等的市場，穩懋估計在未三、四年內，全球每年將需要超過 100萬片以上六吋高效能的MMIC晶圓產能。