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技术发展

微波通讯先进技术

稳懋之制程技术包含HBT和HEMT两大类。已有超过20种以上之制程技术进入量产，稳懋仍将持续推出多样化的新技术来服务客户。

针对技术广度而言，主要化合物半导体材料的使用，从砷化镓扩展至氮化镓，符合多样性的无线通讯需求。在市场应用方面，也从手持式无线通讯，积极布局物联网大趋势下的5G基础建设和光通讯的技术开发，以取得未来市场先机。

HBT

H02U-C4/D4/E4/F4

4th Generation HBT for GSM/3G/4G/Wi-Fi

H02U-C5/D5/F5/H5

5th Generation HBT for GSM/3G/4G/5G/Sub-6GHz/Wi-Fi/HPUE

H01U-H7/R7

7th Generation HBT for GSM/3G/4G/5G/Sub-7GHz/Wi-Fi/HPUE

pHEMT

PD50-1x/32/42

0.5μm E/D pHEMT

PD50-30

0.5μm pHEMT

PD25

0.25/0.5μm E/D pHEMT

PP50-12

0.5 μm 8V Operation pHEMT

PP25-1x

0.25μm 6V Operation pHEMT

PP15-5x/6x

0.15μm 6V Operation pHEMT

PP10-1x/2x

0.1μm 4V Operation pHEMT

PE15-0P

0.15μm E-mode 4V Operation pHEMT

PL15-1x/2x

0.15μm 4V Operation pHEMT

PQH1-12

0.18μm 8V Operation pHEMT

PQH1-0P

0.18μm 4V Operation pHEMT

PQG3-0C

0.15μm E/D mode 4V Operation pHEMT

PINHEMT

PIH0-03

0.1μm 4V Power GaAs pHEMT with Integrated Vertical PIN and Schottky Barrier Diodes MMIC Technology

PIH1-10

Optical gate, 4V Power GaAs pHEMT with Integrated Vertical PIN and Schottky Barrier Diodes MMIC Technology

BiHEMT

PH50-C4

High efficiency HBT4 + Lower Ron pHEMT

PH50-D4

High Linearity HBT4 + Lower Ron pHEMT

GaN

NP12-01

0.12μm 28V Operation GaN HEMT

NP15-00

0.15μm 28V Operation GaN HEMT

NP25-0x/11

0.25μm 28V Operation GaN HEMT

NP25-20

0.25μm 40V Operation GaN HEMT

NP45-11

0.45μm 50V Operation GaN HEMT

IPD/PIN

IP2M-10

8V Operation IPD

IP3M-00

28V Operation IPD

IP3M-01

50V Operation IPD

PIN3-00

3μm i-layer Diode

HVD1-00

Varactor Diode

稳懋半导体另外提供附加制程技术来加强产品功能与支援後段封装技术，以增加客户产品优势与市场竞争力。

pHEMT
HBT
BiHEMT

Bump

此凸块互连结构可将砷化镓晶粒覆晶接合至不同种基板材料

注：pHEMT需包含EMR(Enhanced moisture ruggedness)制程

MET3

第三金属层可提供高密度金属互连设计与高Q值电感

ESD Diode

PN二极体可作为静电放电防护电路设计元件

0.5umE/D pHEMT devices

0.5um 增强型/空乏型pHEMT专为逻辑电路元件设计

Hotvia

1. 晶背金属可被设计当作电位接地以及传输射频讯号

2. 晶背金属窗型对於晶粒贴合制程安装容易

3. 消除打线接合得到绝佳射频讯号品质

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光电元件技术发展