关於稳懋

公司简介

稳懋半导体成立於1999年,位於林口华亚科技园区,是全球首座以六英吋晶圆生产砷化镓微波积体电路(GaAs MMIC)的专业晶圆代工服务公司。稳懋拥有完整的技术团队及最先进的砷化镓微波电晶体及积体电路制造技术及生产设备,客户群除了全球射频积体电路设计公司(RFIC Design Houses)外,并致力吸引与全球整合元件制造(IDM)大厂合作。在制程技术发展方面,稳懋以多元化及领先为原则,期能提供客户最完整的服务。在无线宽频通讯的微波高科技领域中,稳懋目前提供两大类砷化镓电晶体制程技术:异质接面双极性电晶体(HBT)和应变式异质接面高迁移率电晶体(pHEMT),二者均为最尖端的制程技术。在光通讯及3D感测领域中,稳懋更以MMIC生产技术为基础,提供光电产品的开发与生产制造。

本公司的产品线可满足直流至150GHz内各种不同频带无线传输系统的应用,
加上六英吋制程产能与价格上的优势,稳懋将持续地强化制造服务,以满足广大客户的需求

稳懋目前已进入量产之产品,包含1微米 HBT 、2微米 HBT、0.5微米 pHEMT Switch、0.5微米 power pHEMT和先进的高频0.15微米、0.1微米 pHEMT。其中1微米 HBT可应用於OC-768, OC-192光纤通讯/光纤网路元件中的发射器和接收器等主动元件。2微米 HBT与0.5微米 pHEMT Switch主要应用於手持行动通讯装置(Handsets)和无线区域网路(WLAN)。0.15微米、0.1微米 pHEMT MMICs可应用於卫星通讯(SATCOM and VSAT)、汽车业的自动巡航和点对点基地台的连系。0.5微米 pHEMT可应用於卫星通讯、全球定位系统(GPS) 、有线电视调频器(Cable TV tuner) 、交通电子收费装置(Electronic toll collection)、无线区域性网路等。

HBT

pHEMT

BiHEMT

GaN

稳懋亦持续开发光电元件技术於车用、资料中心及光纤到府相关应用。除了现有完整的砷化镓和氮化镓技术领域外,同时建立了光电半导体元件的制造能力,为雷射二极体(LD)及检光二极体(PD)设计公司提供具弹性且大规模的产品制造服务,可提供合作夥伴客制化的磊晶/二次磊晶、光电元件制造、材料及元件特性分析及测试服务等。

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