启动5G联结

5G行动装置与基础设施所需之砷化镓与氮化镓技术

随着5G无线通信组件与基础设施之发展,砷化镓之HBT,pHEMT与GaN技术将扮演关键性的角色以满足新无线网络的多种特性需求。为支持5G的关键零组件发展,稳懋持续提供全系列高整合度之化合物半导体技术涵括:

  • 6GHz以下广域网覆盖所需之频段
  • 毫米波(~30GHz)固定网络存取技术与行动装置所应用之频段
稳懋5G技术频谱

稳懋的技术范畴涵括HBT、GaN HEMT、pHEMT及高整合平台让客户在竞争中持续领先。我们的先进制程所展现的高整合、高效率特性,满足下一代5G前端,低延迟联结与巨量天线所需之技术。稳懋半导体技术为下列相关应用开发与实践的基石:

  • 5G毫米波之空载传输技术
  • 5G毫米波主动天线数组与客户端设备的前端模块 (文章联结)
  • 5G宏蜂窝与多输入输出之基地台

WIN mmWave Front-End Solutions

Advanced GaAs Integration for Single Chip mmWave Front-Ends

0.45µm GaN Power Process for 5G Applications

WIN Semiconductors Enables Single Chip GaAs Solutions For 5G RF Front End Modules