关於稳懋

年度纪事

稳懋半导体位於林口华亚科技园区,是全球首座以六英吋晶圆生产砷化镓微波积体电路(GaAs MMIC)的专业晶圆代工服务公司。稳懋拥有完整的技术团队及最先进的砷化镓微波电晶体及积体电路制造技术。

2020

  • 04月

    荣获第六届公司治理评鉴上市柜公司市值新台币100亿元以上电子业前10%之标竿企业

  • 04月

    连六届荣获上柜组公司治理评鉴前5%公司

  • 02月

    稳懋在S&P Global与RobecoSAM出版的2020年永续年鉴中,获选为Industry Mover

2019

  • 04月

    连五届荣获上柜组公司治理评鉴前5%公司

2018

  • 04月

    荣获第4届公司治理评鉴上柜组排名前5%公司

  • 02月

    稳懋B厂通过SONY Green Partner认证

  • 01月

    通过AS9100航太工业质量管理系统认证

2017

  • 11月

    MSCI将稳懋纳入全球标准型指数成分股

  • 10月

    稳懋公司市价突破仟亿元(台币)

  • 04月

    荣获第3届公司治理评鉴上柜组排名前5%公司

2016

  • 09月

    稳懋半导体「新世代通讯用之半绝缘碳化硅 (S.I.-SiC) 晶圆及氮化镓 (GaN)组件技术开发」通过经济部技术处A+企业创新研发淬炼计划

  • 08月

    办理现金减资30%,调整资本结构及提升股东权益报酬率

  • 04月

    荣获第2届公司治理评鉴上柜组排名前5%公司

  • 04月

    晶圆C厂正式量产启用

  • 03月

    参加2016年光纤大会(Optical Fiber Conference),并宣布切入光电组件制造服务

  • 01月

    晶圆C厂建厂完成

2015

  • 12月

    公司累计晶圆出货量突破100万片

  • 07月

    办理现金减资20%,调整资本结构及提升股东权益报酬率

  • 04月

    荣获第1届公司治理评鉴上柜组排名前5%公司

2014

  • 02月

    荣获第二届卓越中坚企业奖

2013

  • 12月

    荣获第三届国家产业创新奖-绩优企业创新奖

2012

  • 12月

    全年度于全球砷化镓晶圆代工市占率高达62.4%,并跃居全球前12大晶圆厂,亦是其中唯一的砷化镓晶圆代工厂

  • 12月

    荣获美国上市公司Inphi 2012颁发最佳技术伙伴奖

  • 12月

    荣获日本上市公司muRata 2012颁发最佳供货商奖

  • 10月

    办理现金增资参与发行海外存托凭证

2011

  • 12月

    年度营业额突破佰亿元(台币)

  • 12月

    上柜挂牌

  • 11月

    荣获M/A-COM Technology Solutions颁发年度最佳代工供货商奖

  • 10月

    荣获财团法人中华民国证券柜台买卖中心颁发之兴柜公司-卓越兴柜市场贡献金桂奖

  • 05月

    摩根士丹利资本国际(MSCI)公布将稳懋列入全球小型指数名单

2010

  • 12月

    成功产出全球第一片六吋之0.1微米pHEMT MMIC晶圆

  • 12月

    开发出高性能应用于多任务多模手机之射频开关(RF Switch)之制程技术

  • 11月

    通过ISO/TS 16949质量管理系统认证

  • 05月

    晶圆B厂第二期扩建工程动工

  • 04月

    购置晶圆B厂第二期扩建工程之土地及厂房

2009

  • 10月

    与IDM厂美商ANADIGICS宣布达成策略性代工合作关系

  • 10月

    兴柜挂牌

  • 07月

    成功发展出整合HBT与pHEMT于单一芯片之BiHEMT制程技术

  • 04月

    晶圆B厂正式量产启用

2008

  • 10月

    晶圆B厂第一片HBT晶圆试产成功

  • 06月

    通过IDM厂美商Skyworks Solution 认证正式成为代工伙伴

  • 05月

    成功开发出0.25微米之pHEMT MMIC晶圆

2007

  • 12月

    转亏为盈,年度结算全年获利每股盈余0.79元

  • 04月

    新成立微波通讯事业群及光电组件发展事业群,由王郁琦博士及张文铭博士分别担纲各该事业群总经理

  • 04月

    购置晶圆B厂土地及厂房

2005

  • 05月

    成功开发出应用于2G/3G手机之高效能HBT制程技术

2004

  • 09月

    0.5 μm 35V pHEMT for CATV 开始试产

  • 02月

    2μm High Ruggedness HBT 完成基准认证

2003

  • 12月

    WLAN功率放大器芯片单月交货超过一百五十万颗

  • 02月

    第一片0.15微米 mHEMT晶圆向客户交货

  • 01月

    开始为客户代工生产3微米之HBT晶圆

2002

  • 11月

    国内首座砷化镓晶圆制造厂同时通过ISO14001及OHSAS18001环境及职业安全卫生管理系统验证

  • 11月

    六吋50微米厚之0.15微米功率pHEMT技术试产成功

  • 11月

    1微米之HBT技术开始量产

  • 10月

    开始为客户代工生产0.5微米高功率pHEMT晶圆

  • 06月

    第一片0.5微米switch pHEMT晶圆向客户交货

  • 06月

    产出全球第一片六吋25微米厚之pHEMT晶圆

  • 06月

    2微米之HBT技术开始量产

  • 05月

    成功产出全球第一片六吋0.15微米mHEMT晶圆

2001

  • 11月

    晶圆厂开始代工生产0.15微米pHEMT MMIC晶圆

  • 09月

    通过QS-9000及ISO 9001质量系统认证,缔造国内III/V族产业质量认证新纪录

  • 06月

    成功的产出六吋1微米HBT MMIC晶圆

  • 05月

    稳懋获经济部业界科专计划近新台币4000万

  • 05月

    成功产出全球第一片六吋50微米厚之pHEMT晶圆

  • 04月

    pHEMT产品设计工具模块完成

  • 03月

    成功的产出全球第一片六吋之0.15微米pHEMT MMIC 晶圆

  • 01月

    稳懋获准成为公开发行公司

2000

  • 11月

    成功试产出亚洲第一片六吋GaAs HBT MMIC晶圆

  • 09月

    制程生产设备开始装机,制程技术验证开始,2微米HBT产品设计工具套件完成

  • 07月

    晶圆A厂建厂工程完成

1999

  • 12月

    晶圆A厂建厂开始

  • 10月

    稳懋半导体股份有限公司正式成立

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