关於稳懋
年度纪事
稳懋半导体位於林口华亚科技园区，是全球首座以六英吋晶圆生产砷化镓微波积体电路（GaAs MMIC）的专业晶圆代工服务公司。稳懋拥有完整的技术团队及最先进的砷化镓微波电晶体及积体电路制造技术。
2021
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11月
再度获选道琼永续世界指数(DJSI World Index)
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11月
荣获2021 第十四届 TCSA「永续报告-白金奖」
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05月
通过ISO/IEC 27001:2013 信息安全管理系统认证
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04月
再获第七届公司治理评鉴上市柜公司市值新台币100亿元以上电子业前10%之标竿企业
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04月
蝉联第七届公司治理评鉴上柜组前5%公司
2020
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11月
入选道琼永续世界指数(DJSI World Index)
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11月
荣获2020 TCSA「台湾企业永续奖」及SGS「2020 CSR Awards」
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04月
荣获第六届公司治理评鉴上市柜公司市值新台币100亿元以上电子业前10%之标竿企业
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04月
连六届荣获上柜组公司治理评鉴前5%公司
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02月
稳懋在S&P Global与RobecoSAM出版的2020年永续年鉴中，获选为Industry Mover
2019
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04月
连五届荣获上柜组公司治理评鉴前5%公司
2018
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04月
荣获第4届公司治理评鉴上柜组排名前5%公司
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02月
稳懋B厂通过SONY Green Partner认证
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01月
通过AS9100航太工业质量管理系统认证
2017
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11月
MSCI将稳懋纳入全球标准型指数成分股
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10月
稳懋公司市价突破仟亿元(台币)
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07月
稳懋量产六吋VCSEL晶圆 (for Face ID)
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04月
荣获第3届公司治理评鉴上柜组排名前5%公司
2016
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09月
稳懋半导体「新世代通讯用之半绝缘碳化硅 (S.I.-SiC) 晶圆及氮化镓 (GaN)组件技术开发」通过经济部技术处A+企业创新研发淬炼计划
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08月
办理现金减资30%，调整资本结构及提升股东权益报酬率
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04月
荣获第2届公司治理评鉴上柜组排名前5%公司
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04月
晶圆C厂正式量产启用
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03月
参加2016年光纤大会(Optical Fiber Conference)，并宣布切入光电组件制造服务
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01月
晶圆C厂建厂完成
2015
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12月
公司累计晶圆出货量突破100万片
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07月
办理现金减资20%，调整资本结构及提升股东权益报酬率
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04月
荣获第1届公司治理评鉴上柜组排名前5%公司
2014
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02月
荣获第二届卓越中坚企业奖
2013
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12月
荣获第三届国家产业创新奖-绩优企业创新奖
2012
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12月
全年度于全球砷化镓晶圆代工市占率高达62.4%，并跃居全球前12大晶圆厂，亦是其中唯一的砷化镓晶圆代工厂
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12月
荣获美国上市公司Inphi 2012颁发最佳技术伙伴奖
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12月
荣获日本上市公司muRata 2012颁发最佳供货商奖
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10月
办理现金增资参与发行海外存托凭证
2011
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12月
年度营业额突破佰亿元(台币)
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12月
上柜挂牌
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11月
荣获M/A-COM Technology Solutions颁发年度最佳代工供货商奖
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10月
荣获财团法人中华民国证券柜台买卖中心颁发之兴柜公司-卓越兴柜市场贡献金桂奖
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05月
摩根士丹利资本国际(MSCI)公布将稳懋列入全球小型指数名单
2010
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12月
成功产出全球第一片六吋之0.1微米pHEMT MMIC晶圆
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12月
开发出高性能应用于多任务多模手机之射频开关(RF Switch)之制程技术
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11月
通过ISO/TS 16949质量管理系统认证
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05月
晶圆B厂第二期扩建工程动工
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04月
购置晶圆B厂第二期扩建工程之土地及厂房
2009
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10月
与IDM厂美商ANADIGICS宣布达成策略性代工合作关系
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10月
兴柜挂牌
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07月
成功发展出整合HBT与pHEMT于单一芯片之BiHEMT制程技术
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04月
晶圆B厂正式量产启用
2008
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10月
晶圆B厂第一片HBT晶圆试产成功
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06月
通过IDM厂美商Skyworks Solution 认证正式成为代工伙伴
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05月
成功开发出0.25微米之pHEMT MMIC晶圆
2007
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12月
转亏为盈，年度结算全年获利每股盈余0.79元
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04月
新成立微波通讯事业群及光电组件发展事业群，由王郁琦博士及张文铭博士分别担纲各该事业群总经理
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04月
购置晶圆B厂土地及厂房
2005
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05月
成功开发出应用于2G/3G手机之高效能HBT制程技术
2004
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09月
0.5 μm 35V pHEMT for CATV 开始试产
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02月
2μm High Ruggedness HBT 完成基准认证
2003
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12月
WLAN功率放大器芯片单月交货超过一百五十万颗
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02月
第一片0.15微米 mHEMT晶圆向客户交货
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01月
开始为客户代工生产3微米之HBT晶圆
2002
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11月
国内首座砷化镓晶圆制造厂同时通过ISO14001及OHSAS18001环境及职业安全卫生管理系统验证
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11月
六吋50微米厚之0.15微米功率pHEMT技术试产成功
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11月
1微米之HBT技术开始量产
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10月
开始为客户代工生产0.5微米高功率pHEMT晶圆
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06月
第一片0.5微米switch pHEMT晶圆向客户交货
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06月
产出全球第一片六吋25微米厚之pHEMT晶圆
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06月
2微米之HBT技术开始量产
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05月
成功产出全球第一片六吋0.15微米mHEMT晶圆
2001
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11月
晶圆厂开始代工生产0.15微米pHEMT MMIC晶圆
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09月
通过QS-9000及ISO 9001质量系统认证，缔造国内III/V族产业质量认证新纪录
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06月
成功的产出六吋1微米HBT MMIC晶圆
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05月
稳懋获经济部业界科专计划近新台币4000万
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05月
成功产出全球第一片六吋50微米厚之pHEMT晶圆
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04月
pHEMT产品设计工具模块完成
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03月
成功的产出全球第一片六吋之0.15微米pHEMT MMIC 晶圆
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01月
稳懋获准成为公开发行公司
2000
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11月
成功试产出亚洲第一片六吋GaAs HBT MMIC晶圆
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09月
制程生产设备开始装机，制程技术验证开始，2微米HBT产品设计工具套件完成
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07月
晶圆A厂建厂工程完成
1999
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12月
晶圆A厂建厂开始
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10月
稳懋半导体股份有限公司正式成立
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