稳懋半导体于2020年11月6日受邀参与2020 TSIA IC设计研讨会—用第三代半导体材料实现下世代通讯射频组件之展望论坛，由稳懋半导体资深协理黄智文担任主讲人。演讲内容从科技推动人类的生活改变出发，阐述半导体技术的演进与各世代材料之特性。演讲中解释不同世代半导体各有其特性优势与市场应用，其关连密不可分且不存在互相取代的问题。

穩懋基於長期在無線通訊領域累積的深厚製造與研發能力，在第三代半導體專注於射頻(RF)相關應用的技術開發。目前，穩懋半導體已發表完整的第三代半導體氮化鎵於射頻應用解決方案，並依其應用頻段與功率提出對應的氮化鎵積體電路製造技術。

其中，NP45为基于0.45微米闸极之氮化镓晶圆，其适用操作电压为50V之高功率相关应用，如4G、5G通讯基础设施与基地台等。此外，NP25为0.25微米闸极之氮化镓晶圆，适用于操作电压28V之10GHz雷达、卫星等相关应用。NP15则为基于0.15微米闸极之氮化镓晶圆，此技术可应用于20V操作电压之毫米波5G巨量天线基地台、卫星通讯与雷达相关应用。

稳懋半导体为全球少数能在提供第三代半导体生产所需之技术与量能的半导体晶圆制造服务公司。展望未来，稳懋将持续深耕化合物半导体，期许成为未来生活科技演变的推手之一。