稳懋半导体自2016年8月起携手环球晶圆公司共同参与由经济部技术处推广之『A+企业创新研发淬炼计划』，进行「新世代通讯用之半绝缘碳化硅(S.I.-SiC) 晶圆及氮化镓(GaN)组件技术开发」。
本计划为期3年，以发展射频通讯高功率氮化镓技术为主轴。于2019年完成了国内首次100%自制之四吋半绝缘碳化硅(S.I.-SiC)基板，氮化镓(GaN)磊晶技术开发，和线宽为0.45μm、0.25μm、0.15μm之晶体管组件、场效电板设计及空桥式内联机前段组件制程技术开发，以及碳化硅基板薄化、背孔蚀刻及背金电解电镀相关之后段制程技术开发。同时也建立起组件可靠度测试及验证方法、高功率射频量测技术及组件模型技术开发，并展示以线宽0.25μm组件为基础的微波电路设计及仿真，可因应未来5G所需之相关基地台、毫米波、雷达及卫星通讯的应用。
此外，藉由经济部技术处的支持，此项开发计划突破了现有技术及供应链之困境，建立国内产业链，优化产业投资环境。除了可提供国内自主之5G无线通信基地台关键零组件，并且可供应国内终端产业物联网、云端服务系统业者、可携式3C产品之需求。也培养出国内技术人才，促成国外厂商来台投资，以及国际合作的意愿，顺利接轨全球产业链。