回新闻列表2002/01/23
稳懋6"之2um GaAs HBT再创业界技术高峰应用於手机、WLAN及「蓝芽」产品技术已获日本IDM大厂验证通过 以六寸晶圆生产砷化镓晶圆已获肯定，将在国际产业论坛发表论文
国内砷化镓晶圆代工厂稳懋半导 体股份有限公司於今(23)日宣布，该公司已通过日本某IDM大厂之GaAs HBT Power Amplifier（PA - 功率放大器）极严格的产品验证，并将在今年内应用於该厂所推出之「蓝芽」（bluetooth）系列产品。这是国内砷化镓HBT产品以六寸晶圆制造技术首 次通过国际大厂之验证，再度证实稳懋在砷化镓制造技术领先地位。同时，稳懋在GaAs HBT产品技术开发方面亦有重大的发展与突破；并在六寸晶圆HBT及pHEMT制造能力与技术方面，吸引了国际间相关业者之注意，进而应邀於国际会议中发 表成果。
稳 懋是全球少数同时拥有六寸GaAs HBT及pHEMT晶片技术的晶圆制造厂商。其中2微米(um) InGaP HBT技术上的突出表现在1.9GHz操作频率下可产出4W之输出功率及75%之极高之功率效率，与一般业界之HBT相较高了约10%的效率，此结果也同 时经数家美国客户测试後得到证实与肯定；此高效率之通讯晶片可大幅提高应用於手机电池之使用寿命。该技术已引起全球国际大厂及设计公司之兴趣，目前已累计 四十余家客户纷纷下单给稳懋试产手机、WLAN（无线通讯网路）及「蓝芽」应用之HBT功率放大器。除了技术门槛高以外，GaAs之认证时程较矽晶圆产品 长，由客户设计、布局到送制光罩（Design in - Tape out），接着由晶圆制造到可靠度测试完成，往往需要一年或一年半以上的时间，客户方能下单量产。预计该产品对稳懋今年下半度之营收会有绝大之效益。 稳 懋总经理吴展兴博士指出，公司成立的过去二年中，延揽了数十位在欧、美具有相当经验与知名度之技术顶尖人士回台，共同为国内通讯产业的未来打拼，致力於六 寸砷化镓之制造技术的开发。由於各方面的突出表现，稳懋已受邀於今年四月於美国圣地牙哥举行之「国际砷化镓生产技术会议」（GaAs ManTech）中发表三篇论文，与业者分享稳懋在HBT, pHEMT及六寸砷化镓晶圆生产技术之突出表现及实质成果。在国内仅有稳懋受邀，且在国际间，单一公司能有机会发表二篇以上之论文已属不易，稳懋受邀并可 同时发表三篇论文，除了在各方面备受肯定外，实属难能可贵。 吴 总经理强调，六寸晶圆制造技术将是21世纪砷化镓晶圆制造技术的主流，与四寸晶圆制造技术相较，六寸晶圆制造技术除具有成本优势外，并且在良率、品质及产 量方面也较四寸晶圆制造技术优异。自投片生产以来，稳懋的六寸砷化镓晶圆制造厂再再成功地缔造业界历史新纪录，此次2umHBT晶片在技术上之重大突破已 吸引了美、日、韩、欧等国际大厂的兴趣，於稳懋下单试产手机、WLAN及「蓝芽」及光纤通讯所使用之功率放大器；再次确定稳懋在全球专业积体电路制造服务 业界的领导地位，更将进一步提昇客户的未来竞争优势。 稳 懋晶圆一厂位於林口华亚科技园区系全球首座以六寸晶圆生产砷化镓（GaAs）微波通讯晶片的晶圆专业制造厂。该厂於89年年底（12月）动土，90年9月 开始进行装机作业，11月即产出自行研发成功的2um HBT六寸晶圆，同年12月亦成功产出全球第一片六寸之0.15um pHEMT晶圆。此外更领先业界推出全球第一片六寸50um（2mil）厚之六寸砷化镓（GaAs）晶圆，顺利通过QS-9000及ISO 9001的品质系统认证，证明该厂晶圆制造技术能力与良率已较全球一般四寸与五寸砷化镓（GaAs）晶圆厂为优。 稳 懋在此同时并已积极展开多项先进制程及产品技术的开发，除了用於光纤通讯的1um HBT外，另外0.15um低杂讯、0.15um高功率pHEMT及0.5um高功率pHEMT均已陆续完成客户之产品验证；另外pHEMT Switches、PIN Diode及先进的e-mode pHEMT、mHEMT也已在开发中，并受到许多客户的大力支持。目前晶圆厂的规划产能已达每月1,500片六寸晶圆，预定今年年底的装机产能将可达到每 月4,500片。晶圆一厂满载产能为每年十万片六寸晶圆。