HBT(异质介面双极性电晶体)技术，是生产现今当红大哥大(行动电话)及个人通讯服务(PCS)的关键性元件技术。 HEMT(高电子迁移率电晶体)或pHEMT (砷化铟镓应变式高电子迁移率电晶体)技术，将是下世纪无线通讯业的主流技术。在无线通讯产业中，砷化镓积体电路所具有之高频的特性及应用是目前一般矽锗（SiGe）射频积体电路所无法取代的。稳懋於月前（11月15日）试产成功的为2μm InGaP HBT，未来更将朝向1μm发展；HBT主要应用於高阶个人通讯服务（PCS）/大哥大，亦广泛应用於较低频的无线产品，如双向呼叫器、无线区域性网络（WLAN），另外也包括光纤高速IC（OC192）的产品。而未来所有宽频及高效能的通讯元件都即将会以pHEMT 为主要元件装置技术，从微波低频1.8-2.0 GHz、2.1-2.2 GHz、2.5-5.8 GHz、中高频28-31GHz及高频76-77GHz都用得上。除了应用於PCS（个人手机）， 3G wireless(笫三代行动电话)更可应用於快速成长中的点对多点区域性分布服务（MMDS，LMDS），卫星通讯（SATCOM and VSAT），汽车业的感应系统（防撞）和点对点基地台的联系，也可应用於光纤电子元件、固网通讯及特低干扰CATV调频系统。稳懋已於今年11月24日试产成功亚洲第一片六寸0.5μm的pHEMT晶圆，预计在一个月内我们可试产出另一片0.35μm pHEMT MMIC制程技术的晶圆；另外预期在三个月内试产出0.15μm制程技术的pHEMT MMIC晶圆。我们拥有这些尖端科技技术团队，这也是稳懋成功致胜的关键。