2000/11/15

全亚洲第一片六寸砷化镓MMIC晶圆在台试产成功

全球首座专业 生产六寸GaAs MMIC(砷化镓微波晶片)晶圆的稳懋半导体於昨(15)日宣布,历经二个月的生产设备及制程测试後,已成功的产出该公司亦是全亚洲的第一片六寸2 (微米) InGaP HBT(磷化铟镓异质介面双极性电晶体)MMIC晶圆;此举不仅验证了该公司所发展的InGaP HBT制程技术,且充分显示了稳懋当初在决定以生产六寸晶圆的策略到建厂规划、设备投资、装机及制程的开发、技术的引进,都已有了相当的信心及布局;同时 也证明台湾在无线电通讯元件的制造技术已与许多世界级的大厂同步。此产品技术将可提供手机,个人通讯服务(PCS)及第三代无线通讯(3G Wireless)最先进及高效能的高功率放大器。

公 司成立一年,稳懋自去年十一月於林口华亚科技园区动土建厂至今完成投片试产的工作,不仅在业界树立了多项的里程碑,其成果也受到瞩目。稳懋半导体总经理吴 展兴博士指出,自九月份开始投片试产,公司的动向便已受到全球许多通讯界IDM大厂及微波IC设计厂商的注意,且积极的安排业务的洽谈与客户的工程及品质 验证。公司除了在HBT制程有了阶段性的成果外,此外在pHEMT(砷化铟镓应变式高电子迁移率电晶体)产品的制程技术也在试产阶段,预计在月底前也会有 成绩展现。预计明年第一季全面量产,在2002年前将可完成第一阶段的年产能目标,达到三万片六寸晶圆;待晶圆一厂全面量产後年产能即可扩增数倍高达十万 片晶圆。

总 经理吴展兴博士强调,在无线通讯产业中,砷化镓积体电路所具有之高频的特性及应用是目前一般矽锗(SiGe)射频积体电路所无法取代的。稳懋目前的核心技 术包括此次试产成功的2微米的 InGaP HBT及先进的0.15, 0.25 及0.35微米pHEMT和1微米HBT;其中HBT主要应用於高阶个人通讯服务(PCS)/大哥大,亦广范应用於低频的无线产品,如双向呼叫器、无线区 域性网络(WLAN),另外也包括光纤高速IC的产品。而pHEMT可应用於快速成长中的点对多点区域性分布服务(LMDS),卫星通讯(SATCOM and VSAT),汽车业的感应系统(防撞)和点对点基地台的联系,也可应用於光纤电子元件、固网通讯及特低干扰CATV调频系统。稳懋以先进的技术建立六寸晶 圆代工服务的能力,将可达到降低成本、增加产能、缩短制造工时的目标,提昇产业在国际间之竞争力。

随 着无线通讯网路的蓬勃发展,砷化镓微波通讯HBT晶片已成为市场上炙手可热的明星产品,但由於量产技术的门槛较高,且良率提昇不易,全球现有的六寸厂都处 於萌芽阶段,仅有位於美国的Anadigics, Motorola, Lockheed- Martin Sanders以及欧洲的Infineon, Filtronic,但大都均在建厂装机及试产阶段,真正进入量产的厂商非常少,稳懋以极大的信心迎接挑战。据市场报导,行动电话的确是现阶段GaAs IC最大的成长动力,1999年的市场规模约为20亿美元,其中约有60%左右的产值是应用在手机的射频晶片上,而GaAs IC的产值在2001年~2003年将成长到30~40亿美元左右,CAGR则高达34%。另外在汽车防撞雷达方面,其市场将由99年的2亿美元成长至 2003年的50亿美元,CAGR更高达79%左右。如再加上在高速光纤通讯及固网宽频无线通讯等的市场,稳懋估计在未三、四年内,全球每年将需要超过 100万片以上六寸高效能的MMIC晶圆产能。