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2019.11

穩懋半導體完成「新世代通訊用之半絕緣碳化矽(S.I.-SiC) 晶圓及氮化鎵(GaN)元件技術開發」經濟部技術處 A+企業創新研發淬鍊計畫

穩懋半導體自2016年8月起攜手環球晶圓公司共同參與由經濟部技術處推廣之『A+企業創新研發淬鍊計畫』,進行「新世代通訊用之半絕緣碳化矽(S.I.-SiC) 晶圓及氮化鎵(GaN)元件技術開發」。

本計畫為期3年,以發展射頻通訊高功率氮化鎵技術為主軸。於2019年完成了國內首次100%自製之四吋半絕緣碳化矽(S.I.-SiC)基板,氮化鎵(GaN)磊晶技術開發,和線寬為0.45μm、0.25μm、0.15μm之電晶體元件、場效電板設計及空橋式內連線前段元件製程技術開發,以及碳化矽基板薄化、背孔蝕刻及背金電解電鍍相關之後段製程技術開發。同時也建立起元件可靠度測試及驗證方法、高功率射頻量測技術及元件模型技術開發,並展示以線寬0.25μm元件為基礎的微波電路設計及模擬,可因應未來5G所需之相關基地台、毫米波、雷達及衛星通訊的應用。

此外,藉由經濟部技術處的支持,此項開發計畫突破了現有技術及供應鏈之困境,建立國內產業鏈,優化產業投資環境。除了可提供國內自主之5G無線通訊基地台關鍵零組件,並且可供應國內終端產業物聯網、雲端服務系統業者、可攜式3C產品之需求。也培養出國內技術人才,促成國外廠商來台投資,以及國際合作的意願,順利接軌全球產業鏈。