穩懋提供使用砷化銦鎵(InGaAs)為傳輸層材料的高電子遷移率電晶體(HEMT)晶圓代工服務。先進的六英吋製程與磊晶設計提供極佳的低雜訊與功率特性，並具有優異的溫度穩定性與可靠度。穩懋目前可以提供各種製程技術的量產服務。

WIN's InGaAs HEMT Process Technologies

	0.15μm LN (PL15-10)	0.15μm PWR (PP15-10:2 mil PP15-20:4 mil)	0.5μm switch (PS50-00)	0.5μm PWR (PP50-10)	0.5μm ED Mode PD50-01 Dmode Emode
Targeted Applications	10 and 40Gb/s lightwave circuits	VSAT﹐satellite﹐ automotive radar	Cellular﹐PCS﹐ 802.11×	base station driver	Cellular﹐ PCS﹐ 802.11
fI (GHz)	95	85	32	32	32	35
GM_Peak (mS/mm)	550	495	320	310	330	500
Idmax (mA/mm)	500	650	400	480	375	320
IDSS (mA/mm)	260	500	270	350	235	1.E-04
VDG(V)	9	10	15	20	16	15
Vto(V)	-0.7	-1.2	-1.1	-1.4	-1	0.25
TFR (ohm/sq)	50	50	50	50	50
Capacitor (pf/mm2)	400	400	300	400	600(MIM) 900(Stack Cap)
Interconnect Crossover	Airbridge	Airbridge	SiN	Airbridge	Polyimide

0.15 微米低雜訊 pHEMT(PL15-10)

穩懋的0.15μm 低雜訊pHEMT是適用於10與40 Gb/s寬頻通訊系統，以及極低雜訊、高增益的低雜訊放大器應用。此技術的重點有:

95 GHz ft (截止頻率) 製程 0.15 微米 電子束微影術T型閘極 空氣橋或是蝕刻孔連接 均勻性佳的選擇性閘極蝕刻 雙層金連接線 最終晶圓厚度為4 mil (100 微米) 可量產

Noise Figure2-26GHz

40Gb/s TIA eye diagram

0.15 微米功率 pHEMT(PP15-10, -20)

穩懋現階段已經發展出兩種0.15 微米功率pHEMT量產製程(2 mil/4 mil)。這些技術適用於區域網路、衛星傳輸、基地台與汽車防撞雷達的應用。

High Yield	RF Life test

29 GHz Loadpull

0.5 微米 pHEMT 開關(PS50-00)

穩懋的0.5 μm pHEMT開關提供了低嵌入損耗、高絕緣性與低諧波扭曲的元件特性。此技術適用於手機與無線區域網路的應用。

High Yield	TX Input pover sweep at 900MHz and control voltage=-2.7/0 v

DC VCONT_TX sweep at 900MHz and 35dbm input power	Small singal frequency sweep at control voltage=-2.7/0 V

0.5 微米功率pHEMT(PP50-10)

穩懋現階段已經發展出0.5 微米功率pHEMT量產製程。這項技術適用於衛星傳輸、基地台與有線電視的應用。

2 GHz Loadpull	10 GHz Loadpull