穩懋提供使用磷化銦鎵(InGaP)為射極材料的異質接面雙極性電晶體(HBT)晶圓代工服務。磷化銦鎵HBT具有極佳的功率特性、線性度、溫度穩定性與可靠度。穩懋目前可以提供多種製程技術的量產服務。

WIN's InGaP HBT Process Technologies

	1μm HBT) (H01U-00)	2μm HBT (15V) (H02U-00)	1μm HBT (H02U-01)	2μm HBT (High Linearity) (H02U-32)	2μm HBT (High Ruggedness) (H02U-43)
Targeted Applications	OC192 PMD and PHY Layer circuits	Cellular,PCS, 802.11xPA	802.11xPA	CDMA PA with higher Linearity	GSM PA With stringent ruggedness Requirement
fT (GHz)	65	35	35	31	31
fmax(GHz)	80	100	120	110	110
IDC current gain	140	75	75	70	75
BVCEO (V)	9	15	14.5	16.5	17
BVEBO (V)	9	9	10	9.5	7
BVCBO (V)	18	22	23	27	30
TFR(ohm/sq)	50	50	50	50	50
Capacitor(pf/mm2)	600(MIM)	300(MIM) 450(Stack Cap)	600(MIM) 900(Stack Cap)	600(MIM) 900(Stack Cap)	600(MIM) 900(Stack Cap)
Interconnect Crossover	Polyimide	SiN	Polyimide	Polyimide	Polyimide

1 微米HBT (H01U-00)

穩懋的1 微米HBT是以1 μm 射極為單位元件，可適用於寬頻光學通訊系統(SONET/SDH)。此技術的重點有:

• 65 GHz ft (截止頻率) 製程
• 高度整合電路
• 針對功率放大器, 10 Gb/s 光學通訊
  -- 高頻功率放大器
  -- TIA, LA/AGC
• 可量產

F v.s J Characteristics

2 微米HBT (H02U-00, -10, -20)

穩懋現階段已經發展出3種2 微米HBT量產製程。這些技術適用於行動通訊的手機與無線區域網路WLAN的應用。

HBT X' sectional View	DC Life test (H02U-00)

GSM1900 Loadpull (H02U-00)

GSM1900 Loadpull (H02U-20)	GSM1900 Ruggedness (H02U-20)