稳懋提供使用砷化铟镓(InGaAs)为传输层材料的高电子迁移率电晶体(HEMT)晶圆代工服务。先进的六英寸制程与磊晶设计提供极佳的低杂讯与功率特性，并具有优异的温度稳定性与可靠度。稳懋目前可以提供多种制程技术的量产服务。

WIN's InGaAs HEMT Process Technologies

	0.15μm LN (PL15-10)	0.15μm PWR (PP15-10:2 mil PP15-20:4 mil)	0.5μm switch (PS50-00)	0.5μm PWR (PP50-10)	0.5μm ED Mode PD50-01 Dmode Emode
Targeted Applications	10 and 40Gb/s lightwave circuits	VSAT﹐satellite﹐ automotive radar	Cellular﹐PCS﹐ 802.11×	base station driver	Cellular﹐ PCS﹐ 802.11
fI (GHz)	95	85	32	32	32	35
GM_Peak (mS/mm)	550	495	320	310	330	500
Idmax (mA/mm)	500	650	400	480	375	320
IDSS (mA/mm)	260	500	270	350	235	1.E-04
VDG(V)	9	10	15	20	16	15
Vto(V)	-0.7	-1.2	-1.1	-1.4	-1	0.25
TFR (ohm/sq)	50	50	50	50	50
Capacitor (pf/mm2)	400	400	300	400	600(MIM) 900(Stack Cap)
Interconnect Crossover	Airbridge	Airbridge	SiN	Airbridge	Polyimide

0.15 微米低杂讯 pHEMT(PL15-10)

稳懋的0.15μm 低杂讯pHEMT是适用於10与40 Gb/s宽频通讯系统，以及极低杂讯、高增益的低杂讯放大器应用。此技术的重点有:

95 GHz ft (截止频率) 制程 0.15 微米 电子束微影术T型闸极 空气桥或是蚀刻孔连接 均匀性佳的选择性闸极蚀刻 双层金连接线 最终晶圆厚度为4 mil (100 微米) 可量产

Noise Figure2-26GHz

40Gb/s TIA eye diagram

0.15 微米功率 pHEMT(PP15-10, -20)

稳懋现阶段已经发展出两种0.15 微米功率pHEMT量产制程(2 mil/4 mil)。这些技术适用於区域网路、卫星传输、基地台与汽车防撞雷达的应用。

High Yield	RF Life test

29 GHz Loadpull

0.5 微米 pHEMT 开关(PS50-00)

稳懋的0.5 μm pHEMT开关提供了低嵌入损耗、高绝缘性与低谐波扭曲的元件特性。此技术适用於手机与无线区域网路的应用。

High Yield	TX Input pover sweep at 900MHz and control voltage=-2.7/0 v

DC VCONT_TX sweep at 900MHz and 35dbm input power	Small singal frequency sweep at control voltage=-2.7/0 V

0.5 微米功率pHEMT(PP50-10)

稳懋现阶段已经发展出0.5 微米功率pHEMT量产制程。这项技术适用於卫星传输、基地台与有线电视的应用。

2 GHz Loadpull	10 GHz Loadpull