稳懋提供使用磷化铟镓(InGaP)为射极材料的异质接面双极性电晶体(HBT)晶圆代工服务。磷化铟镓HBT具有极佳的功率特性、线性度、温度稳定性与可靠度。稳懋目前可以提供多种制程技术的量产服务。

WIN's InGaP HBT Process Technologies

	1μm HBT) (H01U-00)	2μm HBT (15V) (H02U-00)	1μm HBT (H02U-01)	2μm HBT (High Linearity) (H02U-32)	2μm HBT (High Ruggedness) (H02U-43)
Targeted Applications	OC192 PMD and PHY Layer circuits	Cellular,PCS, 802.11xPA	802.11xPA	CDMA PA with higher Linearity	GSM PA With stringent ruggedness Requirement
fT (GHz)	65	35	35	31	31
fmax(GHz)	80	100	120	110	110
IDC current gain	140	75	75	70	75
BVCEO (V)	9	15	14.5	16.5	17
BVEBO (V)	9	9	10	9.5	7
BVCBO (V)	18	22	23	27	30
TFR(ohm/sq)	50	50	50	50	50
Capacitor(pf/mm2)	600(MIM)	300(MIM) 450(Stack Cap)	600(MIM) 900(Stack Cap)	600(MIM) 900(Stack Cap)	600(MIM) 900(Stack Cap)
Interconnect Crossover	Polyimide	SiN	Polyimide	Polyimide	Polyimide

1 微米HBT (H01U-00)

稳懋的1 微米HBT是以1 μm 射极为单位元件，可适用於宽频光学通讯系统(SONET/SDH)。此技术的重点有:

• 65 GHz ft (截止频率) 制程
• 高度整合电路
• 针对功率放大器, 10 Gb/s 光学通讯
  -- 高频功率放大器
  -- TIA, LA/AGC
• 可量产

F v.s J Characteristics

2 微米HBT (H02U-00, -10, -20)

稳懋现阶段已经发展出3种2 微米HBT量产制程。这些技术适用於行动通讯的手机与无线区域网路WLAN的应用。

HBT X' sectional View	DC Life test (H02U-00)

GSM1900 Loadpull (H02U-00)

GSM1900 Loadpull (H02U-20)	GSM1900 Ruggedness (H02U-20)