異質接面高遷移率電晶體

穩懋提供使用砷化銦鎵(InGaAs)為傳輸層材料的高電子遷移率電晶體(HEMT)晶圓代工服務。先進的六英吋製程與磊晶設計提供極佳的低雜訊與功率特性，並具有優異的溫度穩定性與可靠度。穩懋目前可以提供四類製程技術的量產服務。

WIN’s InGaAs HEMT Process Technologies
 
0.15μm LN
(PL15-10)

0.15μm PWR
(PP15-10:2 mil
PP15-20:4 mil)

0.5μm switch
(PS50-00)
0.5μm PWR
(PP50-10)
0.5μm ED
Mode(PP50-00)
0.5μm ED Mode PD50-01
Dmode.....Emode
Targeted Applications
10 and 40Gb/s
lightwave circuits
VSAT﹐satellite﹐automotive radar
Cellular﹐PCS﹐802.11×
base station driver
Cellular﹐PCS﹐802.11×
Cellular﹐PCS﹐802.11
fI (GHz)
95
85
32
32
32
32
35
GM_Peak(mS/mm)
550
495
320
310
320
330
500
Idmax (mA/mm)
500
650
400
480
400
375
320
IDSS (mA/mm)
260
500
270
350
270
235
1.E-04
VDG(V)
9
10
15
20
15
16
15
Vto(V)
-0.7
-1.2
-1.1
-1.4
-1.1
-1
0.25
TFR(ohm/sq)
50
50
50
50
50
50
Capacitor(pf/mm2)
400
400
300
400
300
600(MIM)
900(Stack Cap)
Interconnect Crossover
Airbridge
Airbridge
SiN
Airbridge
SiN
Polyimide
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0.15 微米低雜訊 pHEMT(PL15-10)
  穩懋的0.15μm 低雜訊pHEMT是適用於10與40 Gb/s寬頻通訊系統，以及極低雜訊、高增益的低雜訊放大器應用。此技術的重點有:
95 GHz ft (截止頻率) 製程
0.15 微米 電子束微影術T型閘極
空氣橋或是蝕刻孔連接
均勻性佳的選擇性閘極蝕刻
雙層金連接線
最終晶圓厚度為4 mil (100 微米)
可量產
 
 
Noise Figure2-26GHz
 

40Gb/s TIA eye diagram
 
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0.15 微米功率 pHEMT(PP15-10, -20)
  穩懋現階段已經發展出兩種0.15 微米功率pHEMT量產製程(2 mil/4 mil)。這些技術適用於區域網路、衛星傳輸、基地台與汽車防撞雷達的應用。

High yied
RF Life test

29 GHz Loadpull
 

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0.5 微米 pHEMT 開關(PS50-00)
  穩懋的0.5 μm pHEMT開關提供了低嵌入損耗、高絕緣性與低諧波扭曲的元件特性。此技術適用於手機與無線區域網路的應用。

High Yield
TX Input pover sweep at 900MHz and control voltage=-2.7/0 v
 
 


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0.5 微米功率pHEMT(PP50-10)
  穩懋現階段已經發展出0.5 微米功率pHEMT量產製程。這項技術適用於衛星傳輸、基地台與有線電視的應用。
 
2 GHz Loadpull
10 GHz Loadpull