異質接面雙極性電晶體
穩懋提供使用磷化銦鎵(InGaP)為射極材料的異質接面雙極性電晶體(HBT)晶圓代工服務。磷化銦鎵HBT具有極佳的功率特性、線性度、溫度穩定性與可靠度。穩懋目前可以提供四種製程技術的量產服務。
WIN’s InGaP HBT Process Technologies
1μm HBT)
(H01U-00)
2μm HBT
(15V)
(H02U-00)
1μm HBT
(H02U-01)
2μm HBT
(High Linearity)
(H02U-31)
2μm HBT
(High Ruggedness)
(H02U-41)
Targeted
Applications
OC192 PMD and
PHY Layer circuits
Cellular,PCS,
802.11xPA
802.11xPA
CDMA PA with
higher Linearity
GSM PA With
stringent ruggedness
Requirement
f
T
(GHz)
65
35
35
31
31
f
max
(GHz)
80
100
120
110
110
IDC current gain
140
75
75
70
75
BV
CEO
(V)
9
15
14.5
16.5
17
BV
EBO
(V)
9
9
10
9.5
7
BV
CBO
(V)
18
22
23
27
30
TFR(ohm/sq)
50
50
50
50
50
Capacitor(pf/mm
2
)
600(MIM)
300(MIM)
450(Stack Cap)
600(MIM)
900(Stack Cap)
600(MIM)
900(Stack Cap)
600(MIM)
900(Stack Cap)
Interconnect Crossover
Polyimide
SiN
Polyimide
Polyimide
Polyimide
Electrical Yield vs. Number of Fingers
WIN's HBT Die Yield
----------------------------------------------
----------------------------------------------
---------------------
1 微米HBT (H01U-00)
穩懋的1 微米HBT是以1 μm 射極為單位元件，可適用於寬頻光學通訊系統
(SONET/SDH)
。此技術的重點有:
65 GHz ft (截止頻率) 製程
高度整合電路
針對功率放大器, 10 Gb/s 光學通訊
高頻功率放大器
TIA, LA/AGC
可量產
F v.s J Characteristics
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----------------------------------------------
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2 微米HBT (H02U-00, -10, -20)
穩懋現階段已經發展出3種2 微米HBT量產製程。這些技術適用於行動通訊的手機與無線區域網路WLAN的應用。
HBT X' sectional View
DC Life test (H02U-00)
GSM1900 Loadpull (H02U-00)
5.8 GHZ Loadpull(H02U-00)
GSM1900 Loadpull (H02U-20)
GSM1900 Ruggedness (H02U-20)
