| 2004年09月 |
0.5 um 35V pHEMT
for CATV 開始試產 |
2004年02月 |
2um High Ruggedness
HBT 完成基準認證 |
2004年01月 |
通過ISO
9001/2000年版以過程為導向的品質系統認證 |
2003年12月 |
WLAN功率放大器晶片單月交貨超過一百五十萬顆 |
| 2003年12月 |
通過ISO 9001/2000品質系統認證 |
| 2003年02月 |
第一片0.15微米 mHEMT晶圓向客戶交貨 |
| 2003年01月 |
開始為客戶代工生產3微米之HBT晶圓 |
| 2002年11月 |
國內首座砷化鎵晶圓製造廠同時通過ISO14001及OHSAS18001環境及職業安全衛生管理系統驗證 |
| 2002年11月 |
六吋50微米厚之0.15微米功率pHEMT技術試產成功 |
| 2002年11月 |
1微米之HBT技術開始量產 |
| 2002年10月 |
開始為客戶代工生產0.5微米高功率pHEMT晶圓 |
| 2002年06月 |
第一片0.5微米switch
pHEMT晶圓向客戶交貨 |
| 2002年06月 |
產出全球第一片六吋25微米之pHEMT晶圓 |
| 2002年06月 |
2微米之HBT技術開始量產 |
| 2002年05月 |
與美國雷神公司結盟,簽訂增資入股暨代工生產合約 |
| 2002年05月 |
成功產出全球第一片六吋0.15微米mpHEMT晶圓 |
| 2001年11月 |
晶圓廠開始代工生產0.15微米pHEMT
MMIC晶圓 |
| 2001年09月 |
通過QS-9000及ISO 9001品質系統認證,締造國內III/V族產業品質認證新紀錄 |
| 2001年06月 |
成功的產出六吋1微米HBT MMIC晶圓 |
| 2001年05月 |
穩懋獲經濟部業界科專計劃近新台幣4000萬 |
| 2001年05月 |
成功產出全球第一片六吋50微米厚之pHEMT晶圓 |
| 2001年04月 |
晶圓廠開始量產pHEMT產品設計工具模組完成 |
| 2001年03月 |
成功的產出全球第一片六吋之0.15微米pHEMT
MMIC 晶圓 |
| 2001年01月 |
穩懋獲准成為公開發行公司 |
| 2000年11月 |
成功試產出亞洲第一片六吋GaAs
HBT MMIC 晶圓亞洲第一片六吋晶圓pHEMT產品試產成功 |
| 2000年09月 |
製程生產設備開始裝機製程技術驗證開始2微米HBT產品設計工具套件完成 |
| 2000年07月 |
晶圓一廠建廠工程完成 |
| 1999年12月 |
晶圓一廠建廠開始 |
| 1999年10月 |
穩懋半導體股份有限公司正式成立 |
